卓水越反渗透纯水设备在半导体行业中的应用案例

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卓水越反渗透纯水设备在半导体行业中的应用案例

发布日期：2025-11-14 16:47:32

一、合作安装流程

珠海市申科谱工业科技有限公司成都分公司采购的四川卓水越品牌1000L反渗透型纯水设备（型号ZYRO-D-1000L），其安装流程严格遵循半导体行业超纯水系统的高标准要求，具体步骤如下：

预处理系统安装
采用粗过滤器与超滤装置组合，有效去除原水中的胶体、悬浮物及部分有机物，确保SDI（污染指数）稳定≤5，为后续反渗透工艺提供优质进水。
超滤装置因占地面积小、维护便捷，显著降低了建筑成本与运维难度。

反渗透系统调试
配置反渗透工艺，一级反渗透前增设SBS（抑垢剂）和MDC（微絮凝）装置，防止膜结垢；确保产水电阻率≥15MΩ·cm。
系统采用模块化设计，支持在线更换膜组件，保障半导体工厂连续生产。

深度处理与水质保障
电去离子（EDI）模块实现深度脱盐，电阻率提升至≥18.2MΩ·cm，满足半导体晶圆清洗与光刻工艺要求。
终端配置抛光混床及UV杀菌器（254nm波长），彻底去除微生物与细菌，确保水质符合SEMI F63标准。

系统验证与交付
完成72小时稳定性测试，验证颗粒物释放量、TOC（总有机碳）等核心参数达标。

提供全周期运维支持，包括定期巡检、预测性养护及应急故障处理，保障水质与系统安全。

二、半导体行业应用价值

卓水越ZYRO-D-1000L反渗透纯水设备在半导体制造中发挥关键作用，具体应用场景包括：

晶圆清洗与光刻工艺：超纯水用于硅片氧化、光掩模版制备及化学机械抛光（CMP），确保无金属离子（如Na⁺、K⁺≤0.01ppb）及颗粒物（≥0.05μm≤1个/mL）污染，提升器件良率。

蚀刻与薄膜沉积：严格控制氯离子（Cl⁻）、硫酸根（SO₄²⁻）含量（<0.01ppb），防止金属结构腐蚀，保障集成电路可靠性。

动态随机存储器（DRAM）生产：满足256兆位工艺对颗粒粒径的严苛要求（≤0.1μm），避免晶圆表面划伤，支持先进制程发展。

三、行业标准与合规性

设备设计严格遵循SEMI F63、ASTM D5127及GB/T 11446.1-2013标准，实现全参数在线监测（电阻率、TOC、颗粒物等），并通过ISO 14644-1 Class 1洁净度认证，为半导体企业提供稳定、合规的超纯水解决方案。